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BSS123 FET 专为低压且低电流需求的应用而设计，适用于小型电机控制（如伺服系统）、能量MOSFET栅极驱动器以及其他开关应用。这款N通道增强型MOSFET采用了专有的高单元密度DMOS技术制造，旨在降低导通电阻的同时，提供强劲、可靠及快速的切换性能。 特征参数 高密度单元设计，实现极低 RDS(ON)
NRF52832-QFAA-R是一款通用多协议 SoC。它可以满足各种应用的需求，这些应用需要最新的低功耗蓝牙功能、协议并发性以及广泛多样的功能和外设。此外，它还为闪存和 RAM 提供了充足的内存。先进的片上电源管理系统可适应各种应用，从而实现极低的能耗。#NRF52832-QFAA-R#SoC 广泛应用于物联网、家庭自动化、传感器网络和楼宇自动化。 特征参数 带
TPS2553DBVR是一款限流配电开关， 它使用 N 沟道 MOSFET 为短路或大电容负载应用提供高达 1.5 A 的连续负载电流。可以使用外部电阻器预设这些器件上的限流阈值，范围在 75 mA 和 1.7 A（最高值）之间。过热保 护和反向电压保护是器件的另外两个关断特性。为了驱动 N 沟道 MOSFET，该器件具有内部电荷泵和栅极驱动电路。电荷泵为驱动器电路供电，并提供将 MOSFET 栅极升高到源极以上所需的电压。电荷泵可以在低至 2.5 V 的输入电压下工作，并且功耗
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