BSS123 FET 专为低压且低电流需求的应用而设计，适用于小型电机控制（如伺服系统）、能量MOSFET栅极驱动器以及其他开关应用。这款N通道增强型MOSFET采用了专有的高单元密度DMOS技术制造，旨在降低导通电阻的同时，提供强劲、可靠及快速的切换性能。

特征参数

高密度单元设计，实现极低 RDS(ON)

坚固可靠

紧凑型工业标准 SOT-23 表面贴装封装

图表

CAD 模型

象征

PCB 封装

技术规格

供应链

工厂交货周期 - 8 周

身体的

引脚数 - 3

技术的

工作温度 - -55°C~150°C TJ

电阻-6欧姆

替代型号零件 

BSS123NH6327XTSA1、BSS123LT1G、BSS123-7-F

在哪里使用 BSS123？

BSS123场效应晶体管的一个重要特性是其阈值电压，即打开晶体管所需的最小电压。如果施加到晶体管的电压低于此阈值，它将不会传导任何电流。此属性可用于创建通过施加到其栅极端子的信号打开和​​关闭的开关。BSS123场效应晶体管还可用于创建放大器。流过放大器的电流量由施加到晶体管栅极端子的电压控制。这使得场效应晶体管成为用途非常广泛的设备，可用于各种各样的应用。

如何使用BSS123？

BSS123场效应晶体管是一种用作电流开关的半导体器件。场效应晶体管（有时称为 FET）通常由一种半导体材料（例如硅或锗）组成，夹在顶部和底部的两个金属触点之间。顶部触点上的金属还有一个区域，电子可以从该区域逸出到空气中（栅极）。当在底部的金属上施加正电压时，该电子电流会被拉入半导体材料并通过栅极流出。当顶部触点上没有施加电压时，会形成一个绝缘层，就像电容器中的绝缘层一样（即两个端子之间没有连接）。

封装尺寸 

关于制造商

安森美半导体是一家致力于降低能源消耗的制造商。该公司拥有全面的电源、信号管理和逻辑、定制解决方案组合，这些解决方案都非常节能。该公司拥有世界一流的高可靠性供应链，并在北美、欧洲和亚太地区的主要市场建立了制造设施、销售、办事处和设计中心网络。

产品规格书详解

BSS123数据手册资料说明下载 (icdhs.com)

BSS123 场效应晶体管是一种半导体器件，主要用作电流开关。除此之外，场效应晶体管也常被用作放大器或稳压器，因为它们能够有效地控制电路中的电流流动。这类晶体管之所以能够胜任这些角色，是因为它们具备高输入阻抗和低输出阻抗的特点。尽管早期的场效应晶体管相比双极结型晶体管(BJT)或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)需要更多的功率，但随着半导体技术的发展，这一缺点已经得到了显著改善。如今，场效应晶体管在功耗方面已不再是限制其应用的因素。