应对市场挑战，三星重新规划全球晶圆代工厂建设时间表

据悉，三星电子正在考虑调整正在进行的代工厂建设项目的时间表和计划。该公司可能会取消其位于韩国平泽 P4 工厂的计划中的代工生产线，而位于美国德克萨斯州泰勒工厂的设备投资可能会再推迟一个季度。

三星全球晶圆代工厂投资建设计划面临比最初预期更多的延迟。主要担忧源于三星不确定其先进工艺技术能否在由台积电等行业领导者主导的激烈竞争市场中竞争。这一挑战促使三星修改计划，推迟晶圆代工厂的建设和设备采购。

目前，三星在建的主要代工项目是韩国的P4工厂和美国的Taylor工厂，这些工厂最初旨在处理尖端工艺节点的量产，包括4nm、3nm甚至2nm技术。

平泽 P4 工厂于 2022 年开始建设，最初设计为与 P3 工厂类似的多用途设施。第一阶段专门用于生产 NAND Flash，第二阶段用于代工厂生产，第三和第四阶段用于生产 DRAM。然而，由于市场状况波动，三星被迫修改建设顺序，优先考虑 NAND 和 DRAM 等内存生产线。最近有传言称，三星正在讨论将计划中的代工厂生产线转变为 DRAM 生产线。

业内专家认为，平泽P4转向先进DRAM和高带宽存储器（HBM）生产几乎是肯定的，因为三星在获得大客户订单方面面临困难，早期投资代工生产线风险太大。

美国泰勒工厂也面临类似挑战。三星最初计划该工厂在 2024 年底前开始量产 4nm 芯片。但有报道显示，三星已大幅削减投资，2023 年下半年的设备订单仅覆盖每月 5,000 片晶圆的产能——这一规模更适合试点生产线。

有报道称，泰勒工厂的全面生产可能会推迟到 2026 年，计划从 4nm 转向 2nm 生产。三星打算在 2025 年第一季度建造洁净室，并在第二季度安装必要的设备。然而，最近的更新表明，三星可能会将其对泰勒工厂的投资计划再推迟一个季度。

三星将平泽 P4/P5 半导体工厂推迟至 2026 年

三星电子此前已决定暂停在平泽P4工厂建设第二期晶圆代工生产线。近期有报道显示，三星平泽P4第二期和第四期生产线以及P5工厂的建设将推迟至2026年。目前，三星将专注于在美国德克萨斯州泰勒市建设晶圆厂。

三星未能在2024年7月底前对平泽P5工厂进行必要的财务审查，导致P5和P4工厂的建设计划均被推迟。不过，NAND Flash的P4一期产线预计近期投产，三期产线目前正在建设中，预计中秋节后将正式安装电力等设备。

三星对P4工厂的原计划是先建设一条存储产线（一期），再建设一条晶圆代工产线（二期），后续计划包括再建设一条存储产线（三期）和一条晶圆代工产线（四期），以完成P4工厂。但由于难以获得晶圆代工客户，该公司已调整计划，优先建设存储产线。

业内人士透露，P4二期产线的产品阵容预计将在2025年1月至2月之间确定，但具体时间尚未确定。目前尚无第四期产线的计划。尽管一些报道暗示P5工厂可能在2025年1月或2月恢复建设，但该项目更有可能被推迟到2026年。

三星在建的各条产线究竟是生产DRAM、NAND，还是处理晶圆代工业务，这一决定备受人们关注。一些分析认为，三星正在尽可能推迟决定生产什么产品，以便公司能够根据市场情况灵活运营。这种方法可能有助于缓解半导体市场的波动，增强盈利能力。

业内人士指出，三星在调整平泽园区建设步伐的同时，也在着力建设美国德克萨斯州泰勒工厂。泰勒工厂于2022年上半年开工，预计2026年开始运营。这一项目的投资规模约为170亿美元。2024年4月，三星与美国商务部签署协议，根据《芯片法案》获得64亿美元补贴。

随着美国总统大选临近，人们担心新总统是否会改变补贴政策。业内人士指出，三星在游说方面投入巨资，如果强调“美国优先”的特朗普当选，可能会增加三星经营的不确定性。