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W25Q128JV 详细解析:技术规格、使用方法与数据手册

W25Q128JV(128M 位)串行闪存专 为空间、引脚或功率有限的系统而设计。25Q 系列在多功能性和性能方面超越了标准串行闪存设备。它们非常适合存储语音、文本和数据,以及将代码影子存储到 RAM 并直接通过双/四 SPI (XIP) 运行代码。该设备采用 2.7V 至 3.6V 的单个电源运行,断电电流使用量低至 1A。所有设备均采用紧凑型封装。W25Q128JV 阵列分为 65,536 个 256 字节可编程页面。一次最多可以编程 256 个字节。页面可以以 16 位扇区(4KB 扇区擦除)、128 位块(32KB 块擦除)、256 位块(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)的形式擦除。 W25Q128JV 总共包含 4,096 个可擦除扇区和 256 个

2024-09-09 09:53:53 462 #W25Q128JV#技术规格#PDF数据手册

SN75176BDR收发器技术规格与应用领域介绍

SN75176BDR差分总线收发器专门设计用于通过多点总线线路实现双向数据通信传输。它们适用于平衡的传输线。#SN75176BDR# 收发器包括三态差分线路驱动器和具有差分功能的输入线路接收器,两者均采用单个 5 伏电源供电。接收器和驱动器分别配备高电平有效和低电平有效使能器,可外部连接,从而允许它们充当方向控制。驱动器的差分输出和接收器的差分输入在内部链接以形成差分输出和输入总线端口。它们旨在确保即使驱动器关闭或 VCC 为零,总线上的负载也最小。它广泛用于化学和气体传感器、数字标牌、电机控制以及无线中继器。

2024-09-06 11:04:43 355 #SN75176BDR#收发器#技术规格#PDF数据手册#应用使用指南

晶体管阵列 ULN2003ADR:技术规格、电路图与使用说明详解

达林顿管是由两个三极管复合而成,相当于一个三极管,但是它的电流放大倍数比三极管大很多,提高了电流驱动能力。达林顿管的作用一般是在灵敏度较高的放大电路中,把非常微小的信号放大,比如大功率的开关电路。在电子电路设计中,功率放大器、稳压电源中经常用到达林顿连接。我们使用的单片机,​​一般驱动能力比较弱,如果要控制那些需要比较大电流的设备,就可以用达林顿管来控制。ULN2003ADR是一种高压大电流达林顿晶体管阵列,具有电流增益大、工作电压高、温度范围宽、负载能力强等特点,适用于各类需要高速大功率驱动的系统,因此,ULN2003ADR作为大电流的负载芯片使用。每个达林顿管由七个独立的达林顿管对组成,具有高压输出和共用阴极钳位二极管,用于切换

2024-08-26 10:07:02 566 #ULN2003ADR#晶体管#技术规格#PDF数据手册#电路图

STM8S003F3P6:高性能 8位微控制器的技术规格与选型指南

STM8S003F3/K3 超值系列 8 位微控制器 包含内置真数据 EEPROM 和 8 KB 闪存程序存储器。STM8S 微控制器系列参考手册将它们称为低密度设备 (RM0016)。性能、坚固性和降低的系统成本都是 STM8S003F3/K3 超值系列设备的优势。真数据 EEPROM 具有高达 100000 次写入/擦除周期,采用最先进技术以 16 MHz 时钟频率生产的精密内核和外设,耐用的 I/O,具有独立时钟源的独立看门狗以及时钟安全机制可确保设备性能和弹性。由于系统集成度高,包括内部时钟振荡器、看门狗和欠压复位,因此系统成本降低。 而其中#

2024-08-23 09:57:24 582 #STM8S003F3P6#技术规格#微控制器#PDF数据手册

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