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如何理解TPS53353DQPR的数据手册资料?

TPS53353DQPR是一款 D-CAP™ 模式、20A 同步开关,带有集成 MOSFET。它专为易于使用、外部元件数量少和节省空间的电源系统而设计。该器件具有 5.5 mΩ / 2.2 mΩ 集成 MOSFET、精确的 1%、0.6 V 基准和集成升压开关。竞争性功能包括转换输入电压范围从 1.5 V 到 15 V、外部元件数量极少、用于超快速瞬态的 D-CAP™ 模式控制、自动跳跃模式操作、内部软启动控制、可选频率以及无需补偿。转换输入电压范围为 1.5 V 至 15 V,电源电压范围为 4.5 V 至 25 V,输出电压范围为 0.6 V 至 5.5 V。该器件采用 5 mm × 6 mm、22 引脚 QFN 封装,额定温度范围为 –40°C 至 85°C。

2024-09-14 10:25:22 447 #TPS53353DQPR#PDF数据手册

了解 STM32F429IGT6微控制器:从规格参数、数据手册到应用案例等

STM32F429IGT6微控制器 基于 Arm® 32 位 Cortex®-M4 CPU 内核,配备 FPU,工作频率高达 180 MHz。FPU 支持所有 Arm® 单精度数据处理指令和数据类型。DSP 指令和 MPU 可以增强应用程序安全性。ART Accelerator™ 允许从闪存执行零等待状态和增强图形内容创建 (DMA2D)。它们配备了标准和高级通信接口。 STM32F429IGT6微控制器集成了高达 2MB 的闪存(分为两个存储体)和高达 256+4 KB 的 SRAW。它们均提供三个 12 位 ADC、两个 DAC、一个低功耗 RTC 和十二个高达 180 MHz 的通用 16 位定时器。它们的特点是具有多达 168 个具有中断功

2024-09-12 11:08:52 691 #STM32F429IGT6#微控制器#PDF数据手册#技术规格#应用使用指南

W25Q128JV 详细解析:技术规格、使用方法与数据手册

W25Q128JV(128M 位)串行闪存专 为空间、引脚或功率有限的系统而设计。25Q 系列在多功能性和性能方面超越了标准串行闪存设备。它们非常适合存储语音、文本和数据,以及将代码影子存储到 RAM 并直接通过双/四 SPI (XIP) 运行代码。该设备采用 2.7V 至 3.6V 的单个电源运行,断电电流使用量低至 1A。所有设备均采用紧凑型封装。W25Q128JV 阵列分为 65,536 个 256 字节可编程页面。一次最多可以编程 256 个字节。页面可以以 16 位扇区(4KB 扇区擦除)、128 位块(32KB 块擦除)、256 位块(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)的形式擦除。 W25Q128JV 总共包含 4,096 个可擦除扇区和 256 个

2024-09-09 09:53:53 409 #W25Q128JV#技术规格#PDF数据手册

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