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Microchip Technology Inc. 的 MCP6001 系列运算放大器专为通用应用设计,具备 1 MHz 的增益带宽积(GBWP)和 90° 的相位裕度(典型值)。该系列运算放大器即使在面对 500 pF 的电容负载时,也能保持 45° 的相位裕度(典型值)。其静态电流仅为 100 μA(典型值),并且能在低至 1.8V 的单电源电压下运行。MCP6001 的共模输入电压范围从 VDD + 300 mV 到 VSS - 300 mV,支持轨到轨输入和输出摆动。该系列采用 Microchip 先进的 CMOS 技术制造,工作电源范围为 1.8V 至 6.0V,适用于广泛的工业和扩展温度范围应用。
Microchip AT24C02C是一款 2 KB 串行 EEPROM,具有 I2C(2 线)串行接口。该设备排列为单个 256 x 8 块,专为需要稳定非易失性存储器的消费、工业和汽车应用而设计。EEPROM 可以采用多种封装方式以节省空间。 AT24C02C 系列特点 • 集成施密特触发器,可降低输入尖峰和噪声
LM2903系列是双独立精密电压比较器 ,功耗低,可采用单电源或单独电源供电。这些器件的设计允许使用单电源共模电压范围。输入失调电压规格低至 2.0 mV,使该器件成为消费汽车和工业电子产品中许多应用的理想选择。 LM2903是一款功能强大的电压比较器,具有多通道比较和高性能等优点。它可以在 2V~36V 或 1V~18V 的宽单电源电压范围或双电源电压下工作。输出电压与 DTL、ECL、TTL、MOS 和 CMOS 逻辑电平兼容。ESD 钳位开路输入可提高器件的稳健性,而不会影响性能。
AT89S52是一款低功耗、高性能的CMOS 8位微控制器,内置有8K字节的系统内可编程闪存。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储技术制造,并与工业标准的80C51指令集及引脚排列兼容。片上闪存使得使用在系统编程(ISP)或通过常规非易失性存储器编程器对程序存储器进行重编程成为可能。通过将一个多功能8位CPU与系统内可编程闪存集成在单一芯片上,Atmel的AT89S52成为了一款强大的微控制器,为众多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。 特征参数
BSS84,215属于场效应晶体管。逻辑电平为 P 通道增强模式。采用垂直D-MOS技术并封装在塑料中。这些FET经过专门设计和认证,适用于通信、计算工业及消费电子等领域。BSS84,215场效应晶体管具有广泛的通用性,可用于继电器驱动器、高速线路驱动器、高侧负载开关以及各种开关电路中。 特征参数 由于快速开关特性,适用于高频
Microchip Technology Inc. 的 24C02C 是一款容量为 2Kbit 的串行电可擦除 PROM(仅可编程存储器),其工作电压范围是 4.5V 到 5.5V。该存储器采用了双线串行接口,结构上由一个 256 x 8 位的单块组成。它的低电流设计允许在待机状态下使用仅为 5μA 的电流,而在工作状态下则只需 1mA。此器件支持字节和页面写入操作,具备高达 16 字节数据的页面写入能力,并且拥有小于 1ms 的快速写入周期。通过功能地址线,可以在同一总线上最多连接八个 24C02C 器件,从而构成总共 16K 位连续 EEPROM 存储空间。此外,该产品提供了多种封装选择,包括标准 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC(宽度3.90 mm)、8 引脚 2x3 DFN 和 TDFN、8 引脚
TLP521系列光耦合器由一个光电晶体管光学连接到一个线型塑料封装的砷化镓红外发射二极管组成。TLP521 是一个光电晶体管光耦合器,该晶体管由光(光子)激活。它的另一侧还配有一个红外 (IR) LED。当红外 LED 开启时,来自 LED 的光会被晶体管的接收器收集,然后传导。 TLP521 系列特性 • 能够在较宽的温度范围内工作(-30°C - 1
高性能 Arm® Cortex®-M7 和 Cortex®-M4 32 位 RISC 处理器为STM32H750ZBT6设备提供动力。Cortex®-M7 内核运行频率为 480 MHz,而 Cortex®-M4 运行频率为 240 MHz。两个内核都有一个浮点单元 (FPU),支持 Arm® 单精度和双精度(Cortex®-M7 内核)运算和转换(符合 IEEE 754 标准),以及一整套 DSP 指令和
SS34是一种高效通用的肖特基整流器,采用夹式接合腿结构设计,具备高热效率和极低的电阻特性。该整流器专为续流、次级整流及反极性保护等应用场景而优化设计,基于多数载流子传导机制工作,具有低正向压降和高浪涌电流承受能力。此外,SS34还便于自动化生产中的拾取与放置过程。简而言之,作为一种金属-硅整流器,SS34以其卓越性能适用于广泛的电子应用领域。 特征参数 金属至硅整流
传统上,直流电压是通过非控整流从220V交流电网中获得的,这种整流方式在电力电子技术和电子仪器仪表中得到了广泛的应用。但这种非控整流方式使输入电流波形严重畸变,呈脉冲状。这样,一方面对电网造成严重污染,干扰其它电子设备的正常工作;另一方面使输入电路的功率因数大大降低。例如,在中、大型非控整流设备中,输入电路的功率因数大致为0.5~0.7,有的甚至更低。因此,必须采取有效的技术措施,减少输入电流波形的畸变,提高输入电路的功率因数。 提高功率因数的方法可归纳为两种:一是无源功率因数校正(PFC)法,主要通过电路设计扩大输入电流的导通角;也可采用高频补偿法来提高输入电流的导通角。另一是有源功率因数校正法,是在电网与供电设备之间串联功率因数校正装置。其中,单相BOOST电路具有效率高、电路简单、成本低
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