BSS84,215属于场效应晶体管。逻辑电平为 P 通道增强模式。采用垂直D-MOS技术并封装在塑料中。这些FET经过专门设计和认证，适用于通信、计算工业及消费电子等领域。BSS84,215场效应晶体管具有广泛的通用性，可用于继电器驱动器、高速线路驱动器、高侧负载开关以及各种开关电路中。

特征参数

由于快速开关特性，适用于高频应用。

适用于低栅极驱动源。

适合与所有 5 V 逻辑系列一起使用。

图表

CAD 模型

象征

PCB 封装

技术规格

供应链

工厂交货周期 - 16 周

身体的

封装/箱体 - 96

技术的

工作温度 - 0°C~95°C TC

附加功能 - 自动/自我刷新

BSS84,215 电路

替代型号模型 

MT41K128M16JT-125:K、IS43TR16128A-15HBLI、MT41K128M16JT-107:K

在哪里使用 BSS84,215？

BSS84,215场效应晶体管(FET)既可用于放大，也可用于开关操作。对于放大操作，需要在输入端使用正向偏置电压源，在输出端使用反向偏置电压源，以通过晶体管产生正向电流。对于开关操作，需要在输入端使用正向偏置电压源，在输出端使用正向偏置电压源，以通过晶体管产生正向电流。

如何使用 BSS84,215

BSS84,215 场效应晶体管是一种用于放大或切换电子信号的半导体器件。它之所以被称为“场效应”晶体管，是因为其工作依赖于栅极电极周围的电场，该电场在栅极和其源极/漏极区域之间的硅体中产生电位。只有当两个端子之间有足够的电压时，电流才会流动；通常，这些端子的一端将连接到地，而另一端将相对于地处于高电平。 

BSS84,215 场效应晶体管有三个端子：通常标记为栅极、漏极 (D) 和源极 (S)。FET 的工作原理可以这样解释：它就像一个可变电阻器，其电阻会根据施加到栅极的电压而变化。当栅极没有电压时，FET 表现为开路，这意味着电流无法在漏极和源极之间流动。当在栅极施加电压时，漏极和源极之间的电阻会减小，更多的电流可以从源极流到漏极。

封装尺寸 

关于制造商

Nexperia 专注于分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件。这家新公司于 2017 年初独立。

产品规格书资料说明

BSS84,215数据手册pdf下载

BSS84,215 场效应晶体管对于电子设备至关重要，因为它们能够放大和切换信号，适用于多种功能。例如，中央处理器（CPU）依赖这些晶体管来进行输入/输出（I/O）操作。通常，会选择一个FET作为主控FET，而其他FET则作为从属FET；这种配置有助于控制整体功耗，并支持低功耗待机模式。要控制FET的工作状态，需要向其栅极施加电压。N沟道FET特别适用于放大低电平信号。