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BSS84,215属于场效应晶体管。逻辑电平为 P 通道增强模式。采用垂直D-MOS技术并封装在塑料中。这些FET经过专门设计和认证，适用于通信、计算工业及消费电子等领域。BSS84,215场效应晶体管具有广泛的通用性，可用于继电器驱动器、高速线路驱动器、高侧负载开关以及各种开关电路中。 特征参数 由于快速开关特性，适用于高频
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