TPS51200DRCR作为接收器/源双倍数据速率 (DDR) 终端稳压器，提供远程感应，满足 DDR、DDR2、DDR3 的所有电源要求，并支持低功耗 DDR3/DDR4 VTT 总线终端。TPS51200 器件非常适合具有低输入电压、低成本和低噪声的系统。在这些系统中，空间是一个关键考虑因素。TPS51200 稳压器可以在 2.375 V 至 3.5V 的偏置电压下运行，这使得它在系统只有 2.5V 或 3.3V 电源轨时非常具有竞争力。 

TPS51200器件采用10引脚封装，宽带内部跨导、Gm放大器和积分动态电压定位可支持超快速瞬态响应，外部输出电容非常小。在典型的-1.5A至+1.5A负载波动范围应用中，产品的输出电压偏差小于25mV。器件还支持RAM暂停时的S3休眠状态控制。 

由于其特殊功能和可靠性能，TPS51200 器件被广泛用于笔记本电脑、台式机和服务器。它们还用于满足 DDR、DDR2 JEDEC 规范并支持 DDR3 和低功耗 DDR3/DDR4 VVT 应用。TPS51200 器件在电信/数据通信、GSM 基站、LCD-TV/PDP-TV、复印机/打印机和机顶盒应用中随处可见。

技术规格

工作温度范围为 -40°C 至 85°C

额定功率-790mW

最大功耗-1.92W

峰值回流温度 (摄氏度) - 260

电源电压-3.3V

输出电压-3.5V

输出类型-固定

最大输出电流-3A

最小电源电压 (Vsup) - 2.375V

输出电流-3A

静态电流-500μA

准确度-5%

输入电压范围为 2.3V 至 -3.5V

参考电压-1.8V

接口IC类型-总线终端器支持电路

标称输出电压-1.25V

引脚配置及说明

CAD 模型

象征

脚印

如何使用TPS51200DRCR

在下图中，TPS51200 器件专门设计用于为内存终端轨供电。VVT 轨的特性由 DDR 内存终端结构决定。此结构还能够吸收和提供电流，同时保持可接受的 VTT 容差。图 2 显示了单个内存单元的典型特性。当 Q1 开启且 Q2 关闭时，电流从 VDDQ 经终端电阻流向 VTT，VTT 吸收电流。当 Q1 关闭且 Q2 开启时，电流从 VTT 经终端电阻流向 GND，VTT 提供电流。

使用地点

TPS51200DRCR器件是灌/拉 DDR 终端调节器，专为具有低输入电压、低成本、低噪声且以空间为主要考虑因素的系统而设计。

布局指南

在开始#TPS51200DRCR#布局设计之前，应考虑道合顺总结的以下几点。

1. 将 VLDOIN 的输入旁路电容和 VO 的输出电容尽可能靠近引脚放置，连接短而宽。

2. 如果 VO 输出电容的 ESR 大于 2 mΩ，请在 VOSNS 处添加一个低通滤波器，该滤波器连接到 VO 输出电容的正节点，以避免额外的 ESR 和/或 ESL。

3. 准备散热片，以散发封装中的热量。

TPS51200DRCR制造商品牌信息

德州仪器（TI）是一家全球知名的半导体制造商，业务范围覆盖 35 个国家。公司发展迅速。1958 年，TIer 首次推出工作集成电路。如今，全球有超过 30,000 名 TIer 致力于设计、制造和销售模拟和嵌入式处理芯片。

产品数据手册下载

TPS51200DRCR 规格书pdf (icdhs.com)