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类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: E-Line (TO-92 compatible) 栅源极电压Vgs(Max): ±40V 连续漏极电流ID(25°C): 200mA (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压(Vdss): 240 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 9Ohm @ 200mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2V @ 1mA 输入电容(Max)@Vds: 200 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 750mW (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Through Hole
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封装 | E-Line (TO-92 compatible) | 栅源极电压Vgs(Max) | ±40V | 连续漏极电流ID(25°C) | 200mA (Ta) |
FET通道极性 | P-Channel | 技术 | - | 漏源电压(Vdss) | 240 V |
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | 3.5V, 10V | 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | 9Ohm @ 200mA, 10V | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 2V @ 1mA |
栅极电荷@Vgs | - | 输入电容(Max)@Vds | 200 pF @ 25 V | FET 功能 | - |
功率耗散(Max) | 750mW (Ta) | 工作温度范围 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 安装类型 | Through Hole |
系列 | - | 导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - |
导通电阻@(Rdson)@1.8V | - | 导通电阻@(Rdson)@10V | - |