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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: LFPAK-56-5 连续漏极电流ID(25°C): 25 FET通道极性: N 技术: Si 漏源电压（Vdss）: 80 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3 栅极电荷@Vgs: 16.4 输入电容(Max)@Vds: 841 功率耗散(Max): 64 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: SMD/SMT
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价格
1+
￥2.1031
详细参数(60%)
详细参数
| 封装 | LFPAK-56-5 | 栅源极电压Vgs(Max) | - | 连续漏极电流ID(25°C) | 25 |
| FET通道极性 | N | 技术 | Si | 漏源电压（Vdss） | 80 |
| 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On) | - | 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | - | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 3 |
| 栅极电荷@Vgs | 16.4 | 输入电容(Max)@Vds | 841 | FET 功能 | - |
| 功率耗散(Max) | 64 | 工作温度范围 | -55℃~175℃ | 安装类型 | SMD/SMT |
| 系列 | - | 导通电阻@(Rdson)@4.5V | - | 导通电阻@(Rdson)@2.5V | - |
| 导通电阻@(Rdson)@1.8V | - | 导通电阻@(Rdson)@10V | 41 |
