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类别: FET,MOSFET - 阵列
描述: 封装: LFPAK56; Power-SO8 安装类型: Surface Mount 漏源电压(Vdss): 20V FET 功能: Standard 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 162mΩ @ 1A, 1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.4V @ 1.64mA 栅极电荷@Vgs: 38nC @ 4V 输入电容(Max)@Vds: 5250pF @ 10V 功率(Max): 3.8W (Ta) 工作温度范围: 150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual)
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¥7.0656
封装 | LFPAK56; Power-SO8 | 安装类型 | Surface Mount | 漏源电压(Vdss) | 20V |
FET 功能 | Standard | 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs | 162mΩ @ 1A, 1.8V | 栅源极阈值电压(Max)@Id | 1.4V @ 1.64mA |
栅极电荷@Vgs | 38nC @ 4V | 输入电容(Max)@Vds | 5250pF @ 10V | 功率(Max) | 3.8W (Ta) |
工作温度范围 | 150℃ | FET通道极性 | 2 N-Channel (Dual) |