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IRF540N功率MOSFET详解：引脚图、功能参数、替代型号及PDF数据手册

功率MOSFET IRF540N采用了尖端的制造工艺，实现了单位硅面积上极低的导通电阻。结合其高开关速度和坚固的器件结构，HEXFET功率MOSFET为设计工程师提供了高效且可靠的选择，适用于各种应用场合。IRF540N采用TO-220封装，能够处理大约50瓦的功耗，非常适合广泛的商业和工业用途。该封装形式因其较低的热阻和经济的成本而在业界广受青睐。为了方便设计集成，IRF540N提供表面贴装和通孔安装两种选项，均符合行业标准尺寸。 IRF540N系列特性与优势

2025-01-08 09:48:46 540 #IRF540N#功率MOSFET#引脚图及功能#PDF数据手册

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