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功率MOSFET IRF540N采用了尖端的制造工艺,实现了单位硅面积上极低的导通电阻。结合其高开关速度和坚固的器件结构,HEXFET功率MOSFET为设计工程师提供了高效且可靠的选择,适用于各种应用场合。IRF540N采用TO-220封装,能够处理大约50瓦的功耗,非常适合广泛的商业和工业用途。该封装形式因其较低的热阻和经济的成本而在业界广受青睐。为了方便设计集成,IRF540N提供表面贴装和通孔安装两种选项,均符合行业标准尺寸。 IRF540N系列特性与优势
CD4069UBE 包含 CMOS 反相器电路,专为各种通用反相器系统设计,具有标准对称输出特性,并符合 JEDEC 初步标准 No. 13B 中的规范。该器件适用于逻辑反相、脉冲整形、振荡器以及高输入阻抗放大器等多种应用。 特征参数 中速运行:10 V 时 tPHL、tPLH = 30ns
AD603 是一款低噪声压控放大器,适用于 RF 和 IF AGC 系统。它提供了从 -11 dB 至 +31 dB(90 MHz 带宽)或 +9 dB 至 51+ dB(9 MHz 带宽)的精确引脚可选增益范围,并可通过外部电阻设置任何中间增益值。其输入参考噪声频谱密度仅为 1.3 nV/√Hz,在推荐的 ±5 V 电源条件下功耗为 125 mW。 该放大器的分贝增益线性且经过校准,确保了温度和电源稳定性。增益调节通过高阻抗(50 MΩ)和低偏置(200 nA)的差分输入实现,具有 25 mV/dB 的缩放比例,仅需 1 V 控制电压即可覆盖中间 40 dB 的增益变化。无论选定的增益范围如何,都能提供上下 1 dB 的调整空间。对于 40 dB 的增益变化,增益控制响应时间小于 1 秒
LAN8720A /LAN8720AI是一款面向消费电子和企业应用的全能型10/100Mbps以太网物理层收发器 ,体积小、功耗低,支持通过标准RMII接口与以太网MAC通信。LAN8720A/LAN8720AI可通过自协商与目的主机实现最佳连接模式(速率和双工模式),支持HP Auto-MDIX自动翻转功能,无需更换网线即可变为直连或交叉连接。 根据 IEEE 802.3-2005 标准,所有数字接口引脚的耐压为 3.6V。LAN8720A/LAN8720AI 可配置为使用集成的 3.3V
AD9361BBCZ 是一款专为3G和4G基站应用设计的射频捷变收发器。它具备高度的可编程性和宽带特性,适用于多种收发器需求。该设备集成了RF前端与混合信号基带的灵活性,并内置了频率合成器,通过提供一个用户可配置的数字接口,大大简化了设计流程。其包含两个先进的直接转换接收器,具有优秀的线性度和噪声系数,每个接收器都配备了自动增益控制功能,从而避免了在数字基带中实现这些功能的必要。此外,AD9361BBCZ还支持手动增益调节,允许远程操作。每个通道上均装备有两个高动态范围的模数转换器,用于处理Q和I信号,并通过可调抽取滤波器及128抽头的脉冲响应滤波器,确保以恰当的采样率产生12位的输出信号。
ADS1256IDBR是一款 24 位低噪声 A/D 转换器。它提供完整的测量解决方案,即使是最严苛的应用也能提供高分辨率。该转换器由一个 delta-sigma 四阶调制器组成,后面跟着一个可编程数字滤波器。灵活的输入多路复用器可以处理单端或差分信号,并具有检查直接连接到输入的外部传感器真实性的电路。输入缓冲器可以设置为可选,这大大增强了输入阻抗,低噪声增益放大器可以编程为以二进制增量提供 1 到 64 的增益。板载校准可用于所有 PGA 设置的增益和偏移误差的自我和系统校正。双向数字 I/O 以及可编程的时钟输出驱动器都可用于一般用途。ADS1256IDBR模数转换器是一般用途,适用于工业过程控制、测试和测量以及称重秤。
Microchip AT24C02C是一款 2 KB 串行 EEPROM,具有 I2C(2 线)串行接口。该设备排列为单个 256 x 8 块,专为需要稳定非易失性存储器的消费、工业和汽车应用而设计。EEPROM 可以采用多种封装方式以节省空间。 AT24C02C 系列特点 • 集成施密特触发器,可降低输入尖峰和噪声
LM2904由两个独立的高增益运算放大器组成,这些运算放大器内部进行了频率补偿,专门设计用于在宽电压范围内采用单电源供电,同时也支持双电源供电。其低电源电流消耗特性与电源电压无关。该器件的共模输入电压范围可扩展至地电位(或VEE),并且能够包括负电源电压,这在许多应用中消除了对外部偏置元件的需求。 LM2904 提供塑封 8 引线双列直插式和芯片式封装。这些器件提供 -40°C 至 +125°C 的工作温度范围,适用于电机控制和生产过程自动化应用的工业系统设计。这些器件确保超低电源电流消耗,并且与电源电压范围无关。例如
BSS123 FET 专为低压且低电流需求的应用而设计,适用于小型电机控制(如伺服系统)、能量MOSFET栅极驱动器以及其他开关应用。这款N通道增强型MOSFET采用了专有的高单元密度DMOS技术制造,旨在降低导通电阻的同时,提供强劲、可靠及快速的切换性能。 特征参数 高密度单元设计,实现极低 RDS(ON)
TLP521系列光耦合器由一个光电晶体管光学连接到一个线型塑料封装的砷化镓红外发射二极管组成。TLP521 是一个光电晶体管光耦合器,该晶体管由光(光子)激活。它的另一侧还配有一个红外 (IR) LED。当红外 LED 开启时,来自 LED 的光会被晶体管的接收器收集,然后传导。 TLP521 系列特性 • 能够在较宽的温度范围内工作(-30°C - 1
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