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W25Q128JV 详细解析:技术规格、使用方法与数据手册

W25Q128JV(128M 位)串行闪存专 为空间、引脚或功率有限的系统而设计。25Q 系列在多功能性和性能方面超越了标准串行闪存设备。它们非常适合存储语音、文本和数据,以及将代码影子存储到 RAM 并直接通过双/四 SPI (XIP) 运行代码。该设备采用 2.7V 至 3.6V 的单个电源运行,断电电流使用量低至 1A。所有设备均采用紧凑型封装。W25Q128JV 阵列分为 65,536 个 256 字节可编程页面。一次最多可以编程 256 个字节。页面可以以 16 位扇区(4KB 扇区擦除)、128 位块(32KB 块擦除)、256 位块(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)的形式擦除。 W25Q128JV 总共包含 4,096 个可擦除扇区和 256 个

2024-09-09 09:53:53 345 #W25Q128JV#技术规格#PDF数据手册#使用指南

晶体管阵列 ULN2003ADR:技术规格、电路图与使用说明详解

达林顿管是由两个三极管复合而成,相当于一个三极管,但是它的电流放大倍数比三极管大很多,提高了电流驱动能力。达林顿管的作用一般是在灵敏度较高的放大电路中,把非常微小的信号放大,比如大功率的开关电路。在电子电路设计中,功率放大器、稳压电源中经常用到达林顿连接。我们使用的单片机,​​一般驱动能力比较弱,如果要控制那些需要比较大电流的设备,就可以用达林顿管来控制。ULN2003ADR是一种高压大电流达林顿晶体管阵列,具有电流增益大、工作电压高、温度范围宽、负载能力强等特点,适用于各类需要高速大功率驱动的系统,因此,ULN2003ADR作为大电流的负载芯片使用。每个达林顿管由七个独立的达林顿管对组成,具有高压输出和共用阴极钳位二极管,用于切换

2024-08-26 10:07:02 532 #ULN2003ADR#晶体管#技术规格#PDF数据手册#电路图#使用指南

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