电气元器件符号大全:掌握电路图的关键
2024-09-11 11:06:36 438
在电气工程领域,你是否曾经对那些密密麻麻的电路图感到困惑?
那些看似神秘的符号,实际上是工程师们沟通和理解电路设计的通用语言。#电气元器件符号#的种类繁多,它们是如何帮助我们标准化设计流程的?这些符号在现代电气工程中又扮演着怎样的角色?
这些符号不仅标识了电路中各组件的位置与特性,还通过直观的连线展示了它们之间的连接方式,从而使得电路图成为一种高效沟通工具。无论是电阻、电感还是晶体管等不同类型的元件,都能通过特定的图形来表示,并且常常附加字母标记或缩写来进一步明确其功能,如晶体管的发射极(E)、基极(B)和集电极(C)。此外,箭头的使用有助于指示电流的方向,而某些符号的变体则反映了元件的可调性。
虽然大多数电气元件都有广为人知的标准符号,但是不同的地区可能会使用多种变体或替代符号来表示相同的电气元件或设备。例如,IEC(国际电工委员会)有一套符号,而 IEEE(电气和电子工程师协会)对同一元件有另一套符号。
这里道合顺介绍的基础电气与电子图形符号是更为广泛接受的一套符号,因为它们在广泛的电气与电子学科领域内得到了普遍的应用。下文将列举出这些符号及其简要说明。
电源原理图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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单细胞 | 单个 0.5V 直流电池 | |
直流电池供电 | 组成直流电池电源的单个电池的集合 | |
直流电压源 | 固定值的恒定直流电压源 | |
直流电流源 | 固定值的恒定直流电流源 | |
受控电压源 | 由外部电压或电流控制的依赖电压源 | |
受控电流源 | 由外部电压或电流控制的依赖电流源 | |
交流电压源 | 正弦电压源或发电机 |
电气接地示意图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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接地 | 接地参考公共零电位点 | |
底盘接地 | 机壳接地连接至电源接地引脚 | |
数字地面 | 公共数字逻辑电路地线 |
电阻器原理图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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固定电阻器(IEEE 设计) | 固定值电阻器,其电阻值标示在其原理图符号旁边 | |
固定电阻器(IEC 设计) | ||
电位器(IEEE 设计) | 三端可变电阻,其电阻值可在零至最大值之间调节 | |
电位器(IEC 设计) | ||
变阻器(IEEE 设计) | 双端全可调变阻器,其电阻值从零变化到最大值 | |
变阻器(IEC 设计) | ||
微调电阻 | 用于安装到 PCB 上的小型可变电阻器 | |
热敏电阻(IEEE 设计) | 热敏电阻的电阻值随周围温度的变化而变化 | |
热敏电阻(IEC 设计) |
电容器原理图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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固定值电容器 | 固定值平行板非极化交流电容器,其电容值在其原理图符号旁边标明 | |
固定值电容器 | ||
极化电容器 | 固定值极化直流电容器通常是电解电容器,必须按照指示连接到电源 | |
可变电容器 |
可调电容器,其电容值可通过可调板来改变
|
电感器和线圈原理图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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开路电感 | 通电时在其周围产生磁场的开路电感器、线圈或螺线管 | |
铁芯电感 | 将线圈绕在实线表示的叠层铁芯上而形成的电感器 | |
铁氧体磁芯电感 | 将线圈绕在非实心铁氧体磁芯上形成的电感器(虚线表示) |
开关和触点符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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SPST 拨动开关 | 单刀单掷拨动开关,用于接通(ON)或断开(OFF)电路电流 | |
SPDT 转换开关 | 单刀双掷转换开关,用于改变电流从一个端子流向另一个端子的方向 | |
按钮开关(常开) | 常开触点按钮开关 - 按下关闭,释放打开 | |
按钮开关(常闭) | 常闭触点按钮开关 - 按下打开,释放关闭 | |
SPST 继电器触点 | 具有内部单刀单掷拨动触点的机电继电器 | |
SPDT 继电器触点 | 具有内部单刀双掷转换触点的机电继电器 | |
双刀单掷继电器触点 | 具有内部双刀单掷拨动触点的机电继电器 | |
DPDT 继电器触点 | 具有内部双刀双掷转换触点的机电继电器 | |
DIP 开关组件 | PCB 安装 DIP 开关,带有 1 到 10 个拨动开关,可以是单极、双极、旋转或带有公共端子 |
半导体二极管符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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半导体二极管 | 用于整流和大电流应用的半导体 pn 结二极管 | |
齐纳二极管 | 齐纳二极管在其反向电压击穿区域中用于限制电压和调节应用 | |
肖特基二极管 | 肖特基二极管由 n 型半导体和金属电极结组成,适用于低压应用 |
晶体管符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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NPN 双极晶体管 | 其特点是两个 n 型发射极和集电极区域之间的轻掺杂 p 型基极区域,箭头指示常规电流流出的方向。 | |
PNP 双极晶体管 | 特征是两个 p 型发射极和集电极区域之间的轻掺杂 n 型基极区域。箭头表示常规电流流入的方向。 | |
达林顿对晶体管 | 两个双极晶体管 npn 或 pnp 串联连接成共集电极配置,以增加电流增益 | |
N-JFET 晶体管 | N 沟道结型场效应晶体管,在源极和漏极之间具有 n 型半导体沟道,箭头表示常规电流流动的方向 | |
P-JFET 晶体管 | P 沟道结型场效应晶体管,在源极和漏极之间具有 p 型半导体沟道,箭头指示常规电流流动的方向 | |
N-MOSFET 晶体管 | 具有绝缘栅极端子的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,可在耗尽或增强模式下运行 | |
P-MOSFET 晶体管 | 具有绝缘栅极端子的 P 通道金属氧化物半导体场效应晶体管,可在耗尽或增强模式下运行 |
光电装置示意图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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发光二极管 (LED) | 一种半导体二极管,在正向偏置时从其结发出彩色光 | |
7 段显示 | 7 段显示器使用共阴极 (CC) 或共阳极 (CA) 显示单个数字和字母 | |
光电二极管 | 当暴露于入射光能时允许电流流动的半导体器件 | |
太阳能电池 | P-N 结光伏电池换能器,可将光强度直接转换为电能 | |
光敏电阻 | 光敏电阻 (LDR),其电阻值随光强度的变化而变化 | |
指示灯或灯泡 | 当电流通过时发出可见光的白炽灯、指示器或其他装置 | |
光隔离器或光耦合器 | 光隔离器或光耦合器使用光敏设备隔离其输入和输出连接 |
数字逻辑符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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非门 | 只有一个输入和一个输出的逻辑门,当输入为 0(低电平)时输出逻辑 1(高电平),当输入为 1(反相器)时输出 0 | |
与门 | 具有两个或多个输入的逻辑门,当其所有输入都为逻辑 1(高电平)时,输出逻辑 1(高电平) | |
与非门 | 具有两个或多个输入的逻辑门,当其所有输入均为逻辑 1 的高电平时,输出逻辑 0(低电平)(相当于 NOT + AND) | |
或门 | 具有两个或多个输入的逻辑门,当其任意一个(或两个)输入为逻辑 1(高电平)时,输出逻辑 1(高电平) | |
或非门 | 具有两个或多个输入的逻辑门,当其任意一个(或两个)输入为逻辑 1 的高电平时,输出逻辑 0(低电平)(相当于 NOT + OR) | |
异或门 | 具有两个输入的异或门,当两个输入不同时,输出逻辑 1(高电平) | |
同或门 | 具有两个输入的异或门,当其两个输入相同(非 + 异或)时,输出逻辑 1(高电平) | |
SR 触发器 | 置位复位触发器是一种双稳态装置,用于在其两个互补输出上存储一位数据 | |
JK 触发器 | JK(Jack Kilby)触发器的字母 J 表示设置,字母 K 表示重置(清除),具有内部反馈 | |
D型触发器 | D(延迟或数据)触发器是单输入触发器,可在其两个互补输出之间切换 | |
数据锁存器 | 当 EN 使能引脚为低电平时,数据锁存器在其单个输入上存储一个数据位,当 EN 使能引脚为高电平时,透明地输出该数据位 | |
4 对 1 多路复用器 | 多路复用器将其一个输入引脚上的数据传递到一条输出线 | |
1 对 4 解复用器 | 解复用器将其单个输入引脚上的数据传递到多个输出线之一 |
电感器的示意图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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空芯电感 | 一种固定值空心电感器、线圈、螺线管或扼流圈,使用自支撑形式或实心或空心陶瓷、塑料或其他形式的非磁性材料作为其内芯,适用于高频应用 | |
铁芯电感 | 一种固定值实心铁芯电感器,由线圈缠绕在实心叠层铁芯上而形成,用符号两条实线表示,用于集中通电时在其周围产生的磁场 | |
铁氧体磁芯电感 | 线圈绕在非实心压粉铁氧体磁芯或磁珠上形成的固定值电感器,符号为两条虚线 | |
抽头电感 | 电感线圈沿其长度具有一个或多个固定值连接(称为抽头),用于阻抗匹配和谐振电路 | |
可调电感 | 一种可调或连续可调电感器,其自感值在调节时可从某个最小值变为最大值 |
原理图变压器符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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空芯变压器 | 单相空芯电压变压器,带有两个电感线圈,紧密缠绕在实心或空心塑料非磁性芯上,适用于射频应用 | |
铁芯变压器 | 单相铁心电压变压器(VT)由两个线圈绕制在实心叠层铁心上而成,用符号两条实线表示,用于将电能从一个绕组传输到另一个绕组,将交流电压从高变为低或从低变为高 | |
电源变压器 | 单相电力变压器 (PT) 显示为两个互连圆圈,用于从高到低或从低到高的电力传输和分配 | |
铁氧体磁芯变压器 | 单相变压器,由两个线圈绕在非固体压缩铁氧体磁芯上形成,以减少涡流损耗、嗡嗡声并增加磁通量。主要用于环形变压器 | |
降压变压器 | 单相降压隔离变压器,将较高的一次绕组电压转换为较低的二次绕组电压,其转换量由变压器的匝数比决定 | |
升压变压器 | 单相升压隔离变压器,将较低的一次绕组电压转换为较高的二次绕组电压,其转换量由变压器的匝数比决定 | |
0 °相移 | 内联点方向用于指示一次绕组和二次绕组之间的0 o相移,用于正确地将变压器并联在一起 | |
180 度相移 | 对角线和相反的点方向用于指示初级和次级绕组之间的 180 度相移,从而导致电压和电流反转 | |
中心抽头变压器 | 单相中心抽头电压变压器,其初级、次级或两侧均分为两个绕组,允许多个电压点。初级中心抽头允许双电源,而次级中心抽头在整流电路中很有用 | |
多抽头变压器 | 单相多抽头电压变压器,一次侧、二次侧或两者均可,允许多个电压连接和输出点 | |
多负载变压器 | 单相电压变压器,具有一个或多个磁耦合次级绕组,用于为单个负载供电,或者次级绕组可以并联以获得更大的电流,或串联以获得更高的电压 | |
双绕组变压器 | 单相电压变压器由同一磁芯上的两个变压器组成,每个变压器的初级和次级绕组缠绕在同一磁芯上。适用于低压和高压电源和电源应用 | |
铁心自耦变压器 | 单相降压自耦变压器,一次绕组和二次绕组均采用单个线圈,缠绕在磁性铁芯上,并有一个或多个固定抽头点,使二次电压等于或小于一次电压 | |
铁心自耦变压器 | 单相升压自耦变压器,一次绕组和二次绕组均采用单个线圈,缠绕在磁性铁芯上,并有一个或多个固定抽头点,使二次电压等于或大于一次电压 | |
自耦变压器 | 单相可变自耦变压器,称为自耦变压器,具有一个单抽头点,可调节以产生可变的次级电压。不提供隔离 | |
电流互感器 | 降压电流互感器 (CT) 为绕线型、环形或条形,可在高电流承载导体和计量装置之间提供电气隔离 |
二极管的原理图半导体符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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半导体二极管 | 半导体 pn 结二极管,正向偏置时电流通过,反向偏置时阻止电流流动。常用于小信号、整流或大电流应用 | |
齐纳二极管 | 齐纳二极管在其反向电压击穿区用于电压限制、瞬态抑制和调节应用。有一系列反向击穿电压值可供选择 | |
肖特基二极管 | 肖特基二极管由 n 型半导体和金属电极结组成,与 pn 结二极管相比,其正向压降和功率耗散非常低,开关速度更快 | |
发光二极管 (LED) | 一种半导体二极管,其 pn 结发出一系列可见和不可见的彩色光,具体取决于正向偏置时使用的材料和掺杂 | |
光电二极管 | 一种半导体光电传感器,当受到入射光能的影响时,电流可逆向流过其自身 |
双极结型晶体管的原理图半导体符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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NPN 双极晶体管 | 特征是两个 n 型发射极和集电极区域之间的轻掺杂 p 型基极区域,箭头指示常规电流流出的方向 | |
PNP 双极晶体管 | 特征是两个 p 型发射极和集电极区域之间的轻掺杂 n 型基极区域。箭头表示常规电流流动的方向 | |
达林顿对晶体管 | 两个双极晶体管 npn 或 pnp 串联连接成共集电极配置,以增加总电流增益。提供 PNP 和 Sziklai 对配置 | |
光电晶体管 | NPN 光电晶体管密封在带有玻璃镜头或窗口的保护壳中,用于检测外部可见光和近红外光源。某些型号具有基极 (B) 引线,可用于实现偏置和灵敏度控制 |
场效应晶体管的原理图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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N-JFET 晶体管 | N 沟道结型场效应晶体管,在源极 (S) 和漏极 (D) 端子之间具有 n 型半导体沟道,栅极 (G) 箭头指向内侧,以指示常规电流流动的方向 | |
P-JFET 晶体管 | P 沟道结型场效应晶体管,在源极 (S) 和漏极 (D) 端子之间具有 p 型半导体沟道,栅极 (G) 箭头指向外部,以指示常规电流流动的方向 | |
N 沟道 D-MOSFET 晶体管 | 耗尽型 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (nMOSFET) 的栅极端子与主导电沟道绝缘,并且常开,当 V G = 0 伏时导通 | |
P 沟道 D-MOSFET 晶体管 | 耗尽型 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (pMOSFET) 的栅极端子与主导电沟道绝缘,并且常开,当 V G = 0 伏时导通 | |
N沟道E-MOSFET晶体管 | 增强型 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (nMOSFET) 的栅极端子与主沟道绝缘,并且常闭,当 V G = 0 伏时关闭 | |
P 沟道 E-MOSFET 晶体管 | 增强型 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (pMOSFET) 的栅极端子与主沟道绝缘,并且常闭,当 V G = 0 伏时关闭 | |
IGBT晶体管 | 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是 BJT 和 IGFET 的结合体,具有高输入 MOS 特性、大双极输出载流能力和低饱和电压 |
电力设备半导体原理图符号
示意图 符号 |
符号识别 | 符号说明 |
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可控硅整流器 | 可控硅整流器 (SCR) 或晶闸管是一种 3 端子、4 层 PNPN 半导体单向器件,其主端子标记为阳极 (A)、阴极 (K) 和栅极 (G)。一旦触发开启,只要有电流流过,它就会保持导通状态,并且可以在更高的电压和电流下工作 | |
双向可控硅 | TRIAC 是交流三极管的缩写,是一种三端双向器件,可以双向传导电流。其主端子标记为 MT2、MT1 和栅极 (G),可以触发正弦波形的任一方向的传导 | |
迪亚克 | DIAC 是“交流二极管”的缩写,是一种 2 端双向半导体器件,类似于 PNP 晶体管,没有基极端子,其特性是两个二极管背对背连接。与三端双向可控硅开关元件一起使用,在交流相位控制、调光、速度控制和功率控制应用中双向传导电流 | |
单结晶体管 | 单结晶体管 (UJT) 是一种半导体 3 端子、单个 pn 结开关器件,其主端子标记为基极 1 (B1)、基极 2 (B2) 和发射极 (E)。可编程 UJT 使用外部电阻器来设置其开关参数,在张弛振荡器中很常见 |
以上,我们看到了许多基本的电气和电子原理图符号,这些图形形式的符号被工程师用来表示特定电路的连接方式及其工作原理,它们不仅是工程师之间沟通的重要桥梁,也是标准化设计流程的基础。从简单的电阻、电容到复杂的晶体管和集成电路,每种电气元件都有其独特的符号表示方法,这极大地促进了图纸的理解与交流。尽管不同标准组织如IEC和IEEE可能有不同的符号体系,但这些差异并未妨碍全球范围内对电气工程原理图的解读与应用。