MT41K256M16TW-107:P SDRAM 是 DDR3 设备系列。它使用双倍数据速率结构来确保快速运行。双倍数据速率是一种 8n 预取技术，它具有一个可以在输入引脚上每个时钟周期发送两个信息字的接口。它主要用于低功耗设备。它可以提高计算机的电池寿命。今天，道合顺介绍了更多有关 MT41K256M16TW-107:P SDRAM 的相关信息。

特征 

向后兼容 VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

差分双向数据选通

8n 位预取架构

差分时钟输入 

标称和动态片上终端（ODT）

可编程CAS（READ）延迟（CL）

可编程发布 CAS 附加延迟 (AL)

可编程CAS（写）延迟（CWL）

图表

CAD 模型

象征

PCB 封装

规格

供应链

工厂交货周期 - 16 周

身体的

触点镀层 - 铜、银、锡

安装 - 表面安装

安装类型 - 表面贴装

技术的

工作温度 - 0°C~95°C TC

包装 - 托盘

零件状态 - 有效

内存大小 - 4Gb 256M x 16

方面

高度 - 1.2mm

长度 - 14mm

MT41K256M16TW-107:P 的电路图

MT41K256M16TW-107:P替代型号推荐 

MT41J128M16JT-093, MT41J128M16JT-107G, MT41J128M16JT-125

在哪里使用MT41K256M16TW-107:P？

MT41K256M16TW-107:P SDRAM是内存技术更新后的新一代产品，突破了千兆赫速度的限制，将内存速度提升到了前所未有的水平。其特点是速度更快、数据带宽更高、工作电压和功耗更低、散热性能更好。支持需要更高数据带宽的下一代四核处理器，性能更强大。与计算机保持最佳兼容性。MT41K256M16TW-107:P 用于台式机、服务器、笔记本电脑、电信和网络。

如何使用MT41K256M16TW-107:P？

道合顺现在讲解MT41K256M16TW-107:P SDRAM的使用方法。操作的第一步是给芯片供电，在此过程中，需要确保电源稳定至少200us，这段时间里，芯片进行内部状态的初始化。紧接着，在时钟使能信号CKE激活前，必须先经历5个时钟周期的等待，并且在此期间，应发出NOP（无操作）或Deselects（非选择）命令。随后，Open Drain Termination (ODT)过程被触发，但在CKE信号变为有效及复位完成之前，ODT会维持在高阻态。一旦CKE信号达到高电平，系统需等待tXPR（即最小复位至CKE有效时间）后，才能开始从Mode Register Set (MRS)中读取模式寄存器信息。在成功加载MR2和MR3寄存器后，即可进行应用特定的设置。最后一步，执行ZQ Calibration Load (ZQCL)命令，以启动ZQ校准流程。完成ZQ校准之后，MT41K256M16TW-107:P SDRAM便能够进入正常的运行状态。

封装尺寸 

MT41K256M16TW-107:P制造商品牌

美光科技是创新内存解决方案领域的领先公司。我们致力于提供先进的半导体解决方案。在当今最先进的计算、网络和通信产品中，美光科技的 DRAM 和闪存组件得到广泛应用。我们的产品适用于计算机、工作站、服务器、手机、无线设备、数码相机和游戏系统。我们提供利用信息丰富所有人生活的技术。

产品数据表

MT41K256M16TW-107:P规格书下载pdf (icdhs.com)