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2N7002L MOSFET：从引脚图、功能及技术规格书的全方位解读
2024-07-09 16:04:40 6,202
2N7002L 系列是一款 3 引脚增强型 N 沟道小信号 MOSFET（金属氧化物硅场效应晶体管），属于常闭型设计。这类器件主要用于电子信号的切换与放大，作为无源元件在电路中发挥着重要作用。其封装形式多样，涵盖了 SOT-233、TO-236-3 和 SC-59 等类型，满足不同应用场景的需求。
在性能方面，2N7002L 系列能在 115 mA 的连续漏极电流及 60 V 的漏极-源极击穿电压下稳定工作，展现出良好的电气特性。值得一提的是，该器件拥有低至 7.5 Ω 的导通电阻（在 10 V、500 mA 条件下测量），并且具有 60 V 的 VDSS 额定值，确保了在高效率和高压环境下的可靠表现。
由于其易用性和广泛的适用性，2N7002L 系列 MOSFET 在各类电子移动设备、电源管理系统、需要低导通电阻的应用场景以及低电流/电压的开关电路中得到了广泛应用，成为许多设计者青睐的选择。
特点和优势
晶体管类型：N 沟道
封装类型：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
储存及工作温度：-55~150摄氏度（TJ）
在较低电压下运行时保持更高的效率
功耗更低，不消耗电流
高开关性能
导通电阻和输入栅极电容较低
CAD 模型
引脚分布
象征
脚印
封装尺寸
2N7002LT1G规格参数
身体的
•封装/外壳 - TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
•引脚数 - 3
•晶体管元件材料 - 硅
技术的
•工作温度-55°C~150°C TJ
•湿度敏感度等级 (MSL) - 1（无限制）
•电阻 - 7.5 欧姆
•子类别 - FET 通用电源
•电压 - 额定直流 - 60V
•技术 - MOSFET（金属氧化物）
•端子位置 - 双
•额定电流 - 115mA
•元素数量 - 1
•通道数 - 1
•最大功耗 - 225mW Ta
•元素配置 - 单一
•操作模式 - 增强模式
•功耗 - 225mW
•开启延迟时间 - 20 ns
•晶体管应用-开关
•Rds On（最大值）@ Id、Vgs - 7.5 Ω @ 500mA、10V
•Vgs(th)（最大值）@Id - 2.5V @ 250μA
•输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds - 50pF @ 25V
•电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C - 115mA Tc
•驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） - 5V 10V
•Vgs（最大值） - ±20V
•关闭延迟时间 - 40 ns
•连续漏极电流 (ID) - 115mA
•阈值电压 - 1V
•栅极至源极电压 (Vgs) - 20V
•漏源击穿电压 - 60V
•标称 Vgs - 2.5 V
•反馈电容最大值 (Crss)5 pF
2N7002LT1G应用地点
开关电源
MOS 射频功率放大器
现代电动汽车中的电源转换器
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
电压可变电阻器 (WR)
存储器、功率晶体管和电机
如何使用
如图所示为常见的分立器件电平转换电路，具体工作过程如下：
-
当Net1输出高电平时，Vgs=0，MOS管Q1的MOS管截止，Net2通过电阻R2上拉到5V。
-
当Net1输出低电平时，MOS管Q1的Vgs=3.3V，大于导通电压阈值，MOS管导通，同时通过MOS管将Net2拉低至低电平。
-
当Net2输出高电平时，MOS管Q1的Vgs保持不变，MOS管保持截止，Net1被电阻R1拉至3.3V。
-
当Net2输出低电平时，MOS管Q1不导通，MOS管先通过体二极管将Net1拉低至低电平，然后MOS管导通，使得Net的电压进一步降低。
用户指南
通过数据表，道合顺发现，一旦应力（最大传输电流为 1A）超过下表所列的值，就可能会对 2N7002LT1G 造成损坏。
如果超出列出的限制，则无法授予 2N7002LT1G 功能，并且可能会发生损坏并且 2N7002LT1G 可能变得不可靠。
2N7002LT1G替代型号推荐型号
2N7002、2N7002-TP、IRLML0060TRPBF、BSS138NH6433XTMA1
2N7002LT1G制造商品牌
安森美半导体一直致力于提供创新的信号管理方案，满足客户的需求，以节能的方式应对计算、消费、LED照明、医疗、军事/航空航天、汽车和电源应用等细分市场中最严苛的设计挑战。
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使用 2N7002LT1G 和 2V7002L 时可以参考此数据表。