BSS138LT 系列产品是安森美半导体的 N 通道功率 MOSFET。，尽管其性能优越，但价格偏高。作为一种替代方案，2N7002LT可作为功能相近的产品选择，不过需要注意的是，这将意味着接受较高的导通电阻。此两款产品尤为适用于诸如计算机和无绳电话等低电压、低电流消耗的应用场景。

BSS138LT1G 功能

符合 RoHS 规定

无铅、无卤素/无溴阻燃剂 (BFR)

采用 SOT-23 封装

符合 AEC-Q101 标准

储存及工作温度为-55°C ~ 150°C

有助于节省 PCB 空间

低阈值电压

±20VDC 连续栅极-源极电压

高开关效率

采用 SOT-23 封装。 

它具有较低的阈值电压，这使得它 

其工作漏极电流为 200 mA，VDS 为 50V。

引脚配置

框图

BSS138LT1G替代型号推荐方案

NX3020NAK,215、BSS138Q-7-F、RE1J002YNTCL、SN7002NH6433XTMA1

应用场景

该产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳定、可靠和快速的开关性能。BSS138LT 特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、DC-DC 转换器和功率MOSFET栅极驱动器）和其他开关应用。

如何使用BSS138LT1G

以上是 BSS138TL1G MOSFET 应用电路的示例，其中使用两个 10K 电阻的分压器将电压分成相等的两半，最后根据 ADC 样本计算电压。BSS138 不是直接将电池电压施加到分压器，而是用作开关，因此只有当 BSS138 的栅极通过 MCU 的任何 GPIO 触发时，电池电压才会出现在分压器对上。

BSS138TL1G使用指南

如上表所示，用户应注意最大额定值，一旦超出，可能会导致功能失调和不可靠的结果。 

BSS138TL1G外形尺寸

BSS138TL1G制造商品牌

安森美半导体一直致力于提供创新的信号管理方案，满足客户的需求，以节能的方式应对计算、消费、LED照明、医疗、军事/航空航天、汽车和电源应用等细分市场中最严苛的设计挑战。

BSS138TL1G数据表PDF下载

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