MMBT2222ALT晶体管的特性及应用介绍：附带数据手册PDF下载

MMBT2222ALT1G是一款电流控制型的双极晶体管，能同时利用电子和空穴进行导电。该晶体管在硅基片上通过精密的掺杂技术形成了三个不同掺杂区域，进而产生了两个PN结。相较于场效应晶体管，双极型晶体管的特点是开关速度较慢、输入阻抗较低且功耗更大。然而，双极晶体管也具备诸多优势，如体积小巧、重量轻、低能耗、长寿命及高可靠性。MMBT2222ALT1G晶体管具体功能包括信号放大、振荡频率放大以及作为开关使用，其应用范围极为广泛，涵盖了电视、广播通信系统、雷达技术、计算机硬件、自动控制系统、电子测量仪器以及各式各样的家用电器等领域。

在今日的文章分享中，道合顺详细介绍MMBT2222ALT1G晶体管的相关特性及应用。

特征 

• 属于无铅、无卤素、无BFR设备，严格符合RoHS要求。

• S 前缀代表汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用。

• 符合 AEC-Q101 要求并具备 PPAP 能力。

制作图表

规格

供应链

工厂交货周期 - 10 周

生命周期状态 - 活跃（上次更新时间：6 天前）

身体的

触点电镀 - 锡

安装类型 - 表面贴装

封装/外壳 - TO-236-3、SC-59、SOT-23-3

表面贴装 - 是

引脚数 - 3

晶体管元件材料 - 硅

技术的

工作温度 - -55°C~150°C TJ

包装 - 卷带式 (TR)

出版日期 - 2006 年

系列 - 汽车、AEC-Q101

JESD-609 代码 - e3

Pbfree 代码 - 是

零件状态 - 有效

湿度敏感度等级 (MSL) - 1（无限制）

终止次数 - 3

ECCN 代码 - EAR99

类型 - 通用

子类别 - 其他晶体管

电压 - 额定直流 - 40V

最大功率耗散 - 300mW

端子位置 - 双

端子形式 - 鸥翼式

峰值回流温度 (摄氏度) - 260

额定电流 - 600mA

频率 - 300MHz

峰值回流温度时间-最大值 (s) - 40

基本部件编号 - MMBT2222A

引脚数 - 3

元素数量 - 1

元素配置 - 单一

功耗 - 225mW

晶体管应用 - 开关

增益带宽积 - 300MHz

晶体管类型 - NPN

集电极发射极电压 (VCEO) - 40V

最大集电极电流 - 600mA

直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce - 100 @ 150mA 10V

电流 - 集电极截止（最大） - 10nA ICBO

Vce 饱和（最大）@ Ib、Ic - 1V @ 50mA、500mA

集电极发射极击穿电压 - 40V

过渡频率 - 300MHz

集电极发射极饱和电压 - 300mV

最大击穿电压 - 40V

集电极基极电压 (VCBO) - 75V

发射极基极电压 (VEBO) - 6V

hFE 最小值 - 100

最高结温 (Tj) - 150°C

最大关闭时间 (toff) - 285 ns

方面

高度 - 1.11mm

长度 - 2.9 毫米

宽度 - 1.3mm

遵守

抗辐射加固 - 否

REACH SVHC - 无 SVHC

RoHS 状态 - 符合 ROHS3 标准

无铅 - 无铅

MMBT2222ALT1G晶体管电路

开关时间等效测试电路

MMBT2222ALT1G替代型号推荐 

MMBT2222L, MMBT2222AL,SMMBT2222AL，MMBT2222AQ

在哪里使用 MMBT2222ALT1G 晶体管？

MMBT2222ALT1G晶体管广泛应用于电视广播、通信电子计算机、自动控制器、家用电器等领域。高速晶体管是用于操作高速计算机系统的实用操作器件。高压大功率表双极功率管是电视行扫描电路和电源电路的主要元件。此外，它在超低频通信、医疗电子设备中也有许多应用实例。

如何使用 MMBT2222ALT1G 晶体管？

在 MMBT2222ALT1G晶体管的图中，很明显，当发射极的基极变为正向偏置时，载流子能够流过结。流过结的大部分电流源自发射极，发射极重掺杂基极，而基极掺杂轻度。大多数电子在合并之前会穿过基极的一小块区域。只有一小部分载流子可以从集电极移动到基极。阻止多数载流子移动的电场可以帮助少数载流子移动。在底部，电子代表少数载流子，因此它们都穿过基极和集电极的反向偏置结并进入集电极。当它们进入集电极时，这些电子就是多数载流子，向前沿移动，即集电极的末端。集电极内的电流主要由电子组成，这些电子顺利流过发射极，到达集电极，而不会与基极的发射极混合。

注入基极的电子中有一些没有到达集电极。这些未能到达集电极的电子将在基极重新结合。基极的重新结合需要消除从基极引线流出的电流中的空穴。这些空穴中有一些位于从源极到出口的发射极管道中，但它们都迅速重新结合。它们也是基极引线电流的主要来源。这些复合过程通常使用不到 1% 的发射极电流，这意味着只需要极少量的基极电流即可维持正向基极-发射极偏置。

指南

如果 MMBT2222ALT1G 的压力高于“最大额定值”表中列出的值，则可能会损坏设备。如果超过其极限，则可能会造成损坏并影响可靠性。

封装尺寸 

MMBT2222ALT1G制造商

安森美半导体公司是一家致力于降低能源消耗的制造商。该公司拥有全面的电源、信号管理和逻辑、定制解决方案组合，这些解决方案具有节能效果。该公司拥有世界一流的高可靠性供应链，并在北美、欧洲和亚太地区的主要市场拥有制造设施、销售、办事处和设计中心网络。

数据表

SMMBT2222ALT1G数据手册pdf下载 (icdhs.com)