随着存储器市场的复苏，韩国存储器大厂SK海力士也在积极进行扩产准备工作，并且在早先已经获得了美国给予的出口限制豁免，开始对中国无锡工厂进行制程升级的动作。

虽然获得了豁免，但是EUV光刻机还是无法直接用于无锡工厂。而SK海力士10纳米级第四代DRAM却需要用到EUV光刻机，这无疑牵制了无锡厂的技术升级。但SK海力士已经想到一个方法能完美解决这一问题。

根据韩国媒体引用市场人士的说法报道指出，SK海力士计划将中国无锡工厂一部分的C2晶圆厂产能，提升至采用10纳米级的第四代（1a）DRAM制程技术，以为了接下来因应市场的需求进行扩产做准备。

目前，中国无锡工厂是SK海力士最主要的生产基地，其产能约占SK海力士DRAM总产量的40%。该工厂正在生产10纳米级的第二代（1y）和第三代（1z）DRAM产品，属于较旧制程技术。

报道指出，先前SK海力士预计将中国无锡工厂改造成生产10纳米级第四代DRAM，或者更先进制程的目标并不容易，原因是受到美国中国所施行的半导体设备出口禁令所影响。美国政府自2019年起，禁止出口先进的半导体生产必备设备，例如ASML的EUV光刻机到中国境内。而SK海力士预计生产的10纳米级第四代DRAM就必须采用EUV光刻机，但由于无法将EUV光刻机引进到无锡工厂，因此无法用正常生产10纳米级第四代DRAM。

然而，随着2023年美国政府给予SK海力士相关的禁令豁免之后，SK海力士开始能够向其中国无锡工厂进口用于制造18纳米制程，或先进制程的DRAM的生产设备。不过，其中的EUV设备的仍然不被允许进口到中国境内，这使得SK海力士要生产10纳米级第四代DRAM仍旧卡关。

为解决这样的问题，SK海力士在制程转换上选择以运输的方式来因应，也就是10纳米级制程的第4代DRAM部分生产在中国无锡工厂进行，之后生产出来的晶圆再被送回总部所在的韩国利川园区，进行EUV制程阶段，然后再运回无锡完成过程。

由于EUV制程在第4代DRAM产品中仅使用单次的曝光应用，所以就增加的成本来说将是SK海力士可以接受的。

事实上，该公司在2013年中国无锡工厂发生火灾期间，就曾经使用此方法克服DRAM生产中断问题。不过，对于中国无锡工厂的制程转换状况，SK海力士则表示无法确认具体的工厂运营计划。

报道强调，2013 年 SK 海力士的中国无锡工厂发生火灾时，SK 展示了其对运输的巧妙运用。 

当由于某些生产线在当时火灾中完全完全被破坏，进而无法立即进行生产时，所以部份生产完成的晶圆被装载到飞机上，带回到利川工厂，进行必要的工作，然后再运回中国完成。

由于当时的火灾，无锡工厂的产能降到每月65,000片的情况，约为原来产能的一半。因此通过运输的方法，尽可能的将DRAM的供应风险降到最低，并且能在2个半月的时间内快速恢复。

这情况颠覆了业界对火灾危机将持续六个月至一年的预期，也克服了史无前例的DRAM 供需危机。

而如今，SK 海力士又上演10年前的戏码。由于美国对中国的制裁，导致EUV光刻机无法引进到中国境内，使得中国无锡工厂的晶圆需要被被转移到韩国利川工厂，进行10纳米级的第四代DRAM的生产。

随着半导体市场进入复苏阶段，高性能芯片的产能扩张也开始进入刻不容缓的时机点。 通过运输的方式，或许SK 海力士对高性能芯片生产扩产也有了一个可靠的解决方式。