CD4069UBE CMOS反相器：引脚图、功能详解及电路图与PDF数据手册下载

CD4069UBE 包含 CMOS 反相器电路，专为各种通用反相器系统设计，具有标准对称输出特性，并符合 JEDEC 初步标准 No. 13B 中的规范。该器件适用于逻辑反相、脉冲整形、振荡器以及高输入阻抗放大器等多种应用。

特征参数

中速运行：10 V 时 tPHL、tPLH = 30ns

100% 测试 20 V 静态电流

在整个封装温度范围内，18 V 时最大输入电流为 1 µA，18 V 和 25°C 时最大输入电流为 100 nA

图表

CAD 模型

象征

CD4069UBE引脚图及功能

技术规格

供应链

工厂交货周期 - 6 周

身体的

封装/外壳 - 14-DIP（0.300，7.62mm）

重量 - 927.99329mg

技术的

工作温度 - -55°C~125°C

CD4069UBE电路图

CD4069UBE替代型号零件

MC14049UBCPG、CD4502BE、CD4009UBE

在哪里使用 CD4069UBE

CD4069UBE CMOS反相器具有互补结构的优点。它现在是数字电路设计中最流行的器件之一。CMOS反相器是由P-MOSFET和N-MOSFET组成的互补推挽器件。N-MOSFET为驱动管。P-MOSFET为负载管。两个晶体管的栅极连接以形成信号输入。两个晶体管分别连接到源极。N-MOSFET的原点位于地。p-MOSFET的源极电压连接到电源电压。n-MOSFET连接到P-MOSFET的漏极作为反相器的输出。为了在集成电路中制造P-MOSFET和n-MOSFET，它们必须创建绝缘的P衬底以及n衬底区域。用于CMOS的CD4069UBE CMOS反相器电路可能包括其他辅助电路，如静电放电保护电路以及闩锁保护电路以及施密特的输入整形电路。

如何使用 CD4069UBE

CD4069UBE CMOS反相器电路由两个性能增强的MOSFET组成，V1为NMOS管，又称驱动管，V2为PMOS管，为负载管。NMOS管的栅源极UTN电压较高，其栅源极开路电压PMOS管为负，其取值范围为2~5V。为使电路正常工作，需要提供电压UDD＞(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V范围内工作，应用范围更广。

封装尺寸 

关于制造商

德州仪器 (TI) 是一家全球知名的半导体制造商，业务范围扩展至 35 个国家。该公司发展迅速。1958 年，他们首次推出了工作集成电路。他们渴望通过自己的技术解决挑战并改变世界。

CD4069UBE产品PDF规格书资料下载

CD4069UB CMOS反相器PDF数据手册datasheet介绍

CD4069UBE CMOS 反相器能够将输入信号的方向反转 180°，适用于模拟电路（如时钟振荡器和音频放大器）以及数字集成电路设计。该反相器由两个增强型 MOSFET 组成，是电子电路设计中的常用组件。其特点包括高噪声耐受性、极高输入阻抗、低静态功耗，并且对干扰和噪声有较强的抵抗力。CD4069UBE 在数字集成电路中发挥着核心作用。