IR2110/IR2113的引脚图、工作原理及其典型应用电路与中文资料分析

IR2110/IR2113 是一款功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有不同的高侧和低侧参考输出通道。由于采用专有的 HVIC 和锁存免疫 CMOS 技术，坚固的单片架构成为可能。低至 3.3V 逻辑，逻辑输入与典型的 CMOS 或 LSTTL 输出兼容。输出驱动器中使用高脉冲电流缓冲级来减少驱动器交叉传导。传输延迟匹配，使高频应用更容易使用。浮动通道可用于驱动电压范围为 500 至 600 伏的高侧 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT。

IR2110/IR2113 系列特性与优势

• 不受 dV/dt 瞬时电压变化的影响

• 可提供最高 +500 V 和 +600 V 的全面运行版本

• 栅极驱动源电压：10~20 V

• 逐周期边沿触发关断机制

• 同步输出与输入耦合

• 可在 3.3 V 逻辑电压下使用

• 支持分配用于引导操作的浮动通道 

IR2110/IR2113 引脚图及功能说明

IR2110 /IR2113 功能图

IR2110/IR2113 典型连接

IR2110/IR2113 系列的常见应用

从需要高功率密度和效率的隔离式直流-直流电源模块到需要高隔离电压和长期可靠性的太阳能逆变器，IR2110/IR2113 半桥栅极驱动器有广泛的应用范围。

如何使用 IR2110/IR2113

模块和其他并联 MOS 门控功率晶体管需要比普通 MGD（MOS门驱动器）更高的电流和更低的门驱动阻抗。8A 峰值输出电流由测试电路中的高输入阻抗功率缓冲器提供。它可以放置在靠近电源模块的位置，从而降低门驱动环路的电感并提高对 dv/dt 感应开启的免疫力。它消耗的空闲电流非常小，并且仍然可以由自举电容器供电。

缓冲器从 IR2110 或最好是具有较低栅极驱动能力的 MGD 获取驱动信号，并驱动 600 nC IGBT 模块。Q1 和 Q2 是 Q3 和 Q4 的低电流驱动器，它们的大小可以满足峰值输出电流需求。 

当输入信号改变状态时，两个晶体管都处于活动状态，R1 会在几纳秒内限制流过 Q1 和 Q2 的电流。当输入达到新状态时，驱动晶体管会迅速耗尽导通输出晶体管的栅极电容，使其进入关断状态。同时，R1 将对第二个输出晶体管的栅极充电，由于 R1 和输出晶体管的输入电容产生的 RC 时间常数，延迟导通。

大电流缓冲器布局建议

1. 在缓冲器的输出端，使用优质的 10F 钽电容或 10F电解电容，以及 0.1F 陶瓷电容。为了减少杂散电感的影响，这些去耦电容应与输出 HEXFET 物理相邻。它们可减少栅极开启时的振铃量。

2. 使用短而紧密绞合的电线将缓冲器的输出连接到模块。

3. 在底部 IGBT 模块的发射极处使用单点接地。使用桥式布置的短粗电线将底部 IGBT 模块的发射极连接到公共位置。

4. 将此位置用作汇聚点。在功率级，使用具有低 ESR 的去耦电容器 (Cf)。电容器的值由布局的质量和开关电流决定。正常温度范围在 10 到 1000 华氏度之间。

IR211 (0,3) 与 IRS211 (0,3) 比较

IRS211(0,3) HVIC 是替代 IR211(0,3) HVIC 的新型 HVIC，并且与前代产品引脚兼容。在许多情况下，使用新产品无需或只需进行少量更改。本应用说明介绍了IR2110与IR2113之间的区别。

注 1：IRS211(0,3) 中的所有电源均在 25 V 下经过全面测试，每个电源均内置 20 V 钳位。内置 20 V 钳位可增强 IC 对电源瞬态尖峰的抵抗力，同时将绝对最大额定值降低至 20 V。

对于需要从输出短路恢复至负总线的应用，不建议在短路恢复事件中允许 V _BS 25 V 持续超过 1 秒。请考虑以下因素以确认此值符合数据表 DC 条件限制：

1. 增加 R _g,OFF并降低 di/dt

2. 缩短PCB 上V _S和 COM之间的距离

3. 减少短路电流

_{4. 把RB放在C B}前面，

5. 增加_CB的大小是另一种选择。

在IRS211(0,3)和IR211之间，传播延迟(0,3)有轻微差异。 

注 2：IRS211(0,3) 和 IR211(0,3) 之间的传播延迟略有不同。 

产品PDF数据手册资料介绍

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